2026 記憶體市場大震盪：長鑫存儲的定價「震撼彈」與 DRAM 超級週期

在 2026 年初，全球半導體市場正迎來一場前所未有的結構性變革 。隨著生成式 AI 從雲端訓練轉向邊緣運算，市場對高頻寬記憶體（HBM）的需求呈現指數級增長，這不僅改變了供應鏈的優先順序，更讓傳統的 DDR4 市場陷入劇烈的連鎖反應 。

## 長鑫存儲（CXMT）的價格策略：是傾銷還是戰略佈局？

近期市場最受注目的新聞，莫過於長鑫存儲推出的 32GB DDR4-3200 ECC 記憶體模組，其定價僅約 138 至 140 美元 。

• 極端價差：相較於三星、SK海力士與美光等國際大廠因產能轉移至 HBM 導致的 300 至 400 美元高價，長鑫的價格僅為對手的三分之一 。

• 財務底氣：長鑫存儲在 2025 年首次實現獲利（約 20 億至 35 億元人民幣），並積累了價值 280 億元人民幣的庫存，使其有能力進行激進定價 。

• 深層意圖：此舉旨在透過清理舊世代（Legacy）庫存獲取現金，為即將到來的 42 億美元 IPO 及 HBM3 的研發籌集資金 。

## 「反直覺」的市場現狀：DDR4 價格反轉

目前 DRAM 市場出現了罕見的「價格倒掛」現象。

• 供應匱乏：由於三大廠將 300mm 晶圓產能大量挪用於生產 HBM（生產 1 片 HBM 需消耗 3 片標準 DRAM 產能），導致 DDR4 供應極度緊縮 。

• 溢價驚人：2026 年 1 月數據顯示，DDR4 現貨價格比合約價高出 172%，甚至出現 16GB DDR4 模組比 DDR5 更貴的奇觀 。

• 恐慌性採購：工業、醫療與汽車 OEM 廠商因系統重新設計成本過高，寧願支付高額溢價也要鎖定 DDR4 庫存，避免生產線停工 。

## 2026-2027 走勢預測：史上最大單季漲幅

根據分析機構預估，2026 年將是記憶體策略決定企業獲利能力的關鍵年。

期間	預估漲幅 (QoQ)	關鍵因素
2026 Q1	90% - 95%	伺服器與 PC 庫存枯竭、HBM 產能排擠
2026 Q2	40% 以上	旗艦手機發布、邊緣 AI 設備放量
2027 年	供應緩解	美光、SK海力士、長鑫新廠投產

## 產業領導者的權力移轉

• SK海力士：憑藉 HBM 62% 的市佔率，其 2025 年營業利潤首度超越三星，並成為 NVIDIA 的核心供應商 。

• 三星電子：在 2026 年發起大規模反攻，重點佈局 1c 奈米製程，目標在年底達到每月 20 萬片產能 。

• 美光科技：採取激進的「硬退出」策略，關閉 DDR4 購買窗口，強制推動客戶轉向 DDR5 。

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💡 策略建議

對於供應鏈團隊而言，應立即審視對 DDR4 的依賴程度 。雖然長鑫存儲提供了低價替代方案，但仍需警惕地緣政治引發的供應中斷風險，並加速向 DDR5 或 LPDDR5X 技術遷移，以規避長期的供應風險 。